Fundamentals of Silicon Carbide Technology

Growth, Characterization, Devices and Applications
de

,

Éditeur :

Wiley-IEEE Press

Collection : IEEE Press

Paru le : 2014-09-23

A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs...
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À propos


Éditeur

Collection

Parution
2014-09-23

Pages
552 pages

EAN papier
9781118313527

Auteur(s) du livre



Caractéristiques détaillées - droits

EAN PDF
9781118313541
Prix
144,48 €
Nombre pages copiables
0
Nombre pages imprimables
552
Taille du fichier
42947 Ko
EAN EPUB
9781118313558
Prix
144,48 €
Nombre pages copiables
0
Nombre pages imprimables
552
Taille du fichier
60662 Ko

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